ლაზერული კრისტალის ზრდის თეორია

მეოცე საუკუნის დასაწყისში, თანამედროვე მეცნიერებისა და ტექნოლოგიების პრინციპები განუწყვეტლივ იყენებდნენ ბროლის ზრდის პროცესის გასაკონტროლებლად და კრისტალური ზრდა დაიწყო ხელოვნებიდან მეცნიერებამდე განვითარება.განსაკუთრებით 1950-იანი წლებიდან, ნახევარგამტარული მასალების განვითარებამ, რომელიც წარმოდგენილია ერთკრისტალური სილიციუმით, ხელი შეუწყო ბროლის ზრდის თეორიისა და ტექნოლოგიის განვითარებას.ბოლო წლებში ნაერთი ნახევარგამტარებისა და სხვა ელექტრონული მასალების, ოპტოელექტრონული მასალების, არაწრფივი ოპტიკური მასალების, სუპერგამტარი მასალების, ფეროელექტრული მასალების და ლითონის ერთკრისტალური მასალების განვითარებამ გამოიწვია მთელი რიგი თეორიული პრობლემები.და უფრო და უფრო რთული მოთხოვნები დგება კრისტალების ზრდის ტექნოლოგიაზე.კრისტალების ზრდის პრინციპისა და ტექნოლოგიის კვლევა სულ უფრო მნიშვნელოვანი ხდება და თანამედროვე მეცნიერებისა და ტექნოლოგიების მნიშვნელოვან დარგად იქცა.
ამჟამად, კრისტალების ზრდამ თანდათან ჩამოაყალიბა სამეცნიერო თეორიების სერია, რომლებიც გამოიყენება კრისტალების ზრდის პროცესის გასაკონტროლებლად.თუმცა, ეს თეორიული სისტემა ჯერ კიდევ არ არის სრულყოფილი და ჯერ კიდევ არის ბევრი შინაარსი, რომელიც დამოკიდებულია გამოცდილებაზე.ამიტომ, ხელოვნური ბროლის ზრდა ზოგადად განიხილება როგორც ხელოსნობისა და მეცნიერების კომბინაცია.
სრული კრისტალების მომზადება მოითხოვს შემდეგ პირობებს:
1. რეაქციის სისტემის ტემპერატურა უნდა იყოს კონტროლირებადი ერთნაირად.ადგილობრივი გადახურების ან გადახურების თავიდან ასაცილებლად, ეს გავლენას მოახდენს კრისტალების ნუკლეაციასა და ზრდაზე.
2. კრისტალიზაციის პროცესი მაქსიმალურად ნელი უნდა იყოს სპონტანური ნუკლეაციის თავიდან ასაცილებლად.იმის გამო, რომ სპონტანური ნუკლეაციის დაწყების შემდეგ, მრავალი წვრილი ნაწილაკი წარმოიქმნება და ხელს უშლის კრისტალების ზრდას.
3. შეადარეთ გაგრილების სიჩქარე ბროლის ნუკლეაციას და ზრდის ტემპს.კრისტალები ერთნაირად იზრდებიან, კრისტალებში არ არის კონცენტრაციის გრადიენტი და შემადგენლობა არ გადაუხვევს ქიმიურ პროპორციულობას.
კრისტალური ზრდის მეთოდები შეიძლება დაიყოს ოთხ კატეგორიად მათი ძირითადი ფაზის ტიპის მიხედვით, კერძოდ, დნობის ზრდა, ხსნარის ზრდა, ორთქლის ფაზის ზრდა და მყარი ფაზის ზრდა.კრისტალების ზრდის ეს ოთხი ტიპი გადაიქცა ათეულობით კრისტალების ზრდის ტექნიკაში კონტროლის პირობებში ცვლილებებით.
ზოგადად, თუ კრისტალების ზრდის მთელი პროცესი იშლება, ის სულ მცირე უნდა მოიცავდეს შემდეგ ძირითად პროცესებს: ხსნადი ნივთიერების დაშლა, ბროლის ზრდის ერთეულის წარმოქმნა, კრისტალური ზრდის ერთეულის ტრანსპორტირება ზრდის გარემოში, კრისტალების ზრდა. მოძრაობა და კომბინაცია. ელემენტი ბროლის ზედაპირზე და ბროლის ზრდის ინტერფეისის გადასვლა, რათა განხორციელდეს ბროლის ზრდა.