AgGaSe2 კრისტალები — ზოლის კიდეები 0,73 და 18 მკმ
პროდუქტის აღწერა
2.5-12 μm ფარგლებში მიღწეული იქნა ტუმბირება Ho:YLF ლაზერით 2.05 μm-ზე გადატუმბვისას;ისევე როგორც არაკრიტიკული ფაზის შესატყვისი (NCPM) ოპერაცია 1.9–5.5 μm ფარგლებში 1.4–1.55 μm ტუმბოს დროს.დადასტურებულია, რომ AgGaSe2 (AgGaSe) არის სიხშირის გაორმაგების ეფექტური კრისტალი ინფრაწითელი CO2 ლაზერის გამოსხივებისთვის.
კომერციულად ხელმისაწვდომ სინქრონულად ამოტუმბულ ოპტიკურ პარამეტრულ ოსცილატორებთან (SPOPOs) კომბინაციით ფემტოწამის და პიკოწამის რეჟიმში, AgGaSe2 კრისტალები აჩვენა, რომ ეფექტურია არაწრფივი პარამეტრული ქვევით კონვერტაციისთვის (განსხვავების სიხშირის გენერირება, DGF) შუა IR რეგიონში.საშუალო IR არაწრფივი AgGaSe2 კრისტალი ფლობს ერთ-ერთ უდიდეს დამსახურებას (70 pm2/V2) კომერციულად ხელმისაწვდომ კრისტალებს შორის, რაც ექვსჯერ მეტია AGS ეკვივალენტზე.AgGaSe2 ასევე სასურველია სხვა საშუალო IR კრისტალების მიმართ რამდენიმე კონკრეტული მიზეზის გამო.მაგალითად, AgGaSe2-ს აქვს უფრო დაბალი სივრცითი დაშორება და ნაკლებად ხელმისაწვდომია სპეციფიკური აპლიკაციებისთვის (მაგ. ზრდისა და ჭრის მიმართულება), თუმცა აქვს უფრო დიდი არაწრფივი და ექვივალენტური გამჭვირვალობის არეალი.
აპლიკაციები
● თაობის მეორე ჰარმონიკა CO და CO2 - ლაზერებზე
● ოპტიკური პარამეტრული ოსცილატორი
● სხვადასხვა სიხშირის გენერატორი საშუალო ინფრაწითელ რეგიონებში 17 მკმ-მდე.
● სიხშირის შერევა შუა IR რეგიონში
ძირითადი თვისებები
| კრისტალური სტრუქტურა | ტეტრაგონალური |
| უჯრედის პარამეტრები | a=5.992 Å, c=10.886 Å |
| დნობის წერტილი | 851 °C |
| სიმკვრივე | 5.700 გ/სმ3 |
| მოჰს სიხისტე | 3-3,5 |
| შთანთქმის კოეფიციენტი | <0,05 სმ-1 @ 1,064 მკმ <0,02 სმ-1 @ 10,6 მკმ |
| ფარდობითი დიელექტრიკული მუდმივი @ 25 MHz | ε11s=10.5 ε11t=12.0 |
| Თერმული გაფართოება კოეფიციენტი | ||C: -8,1 x 10-6 /°C ⊥C: +19,8 x 10-6 /°C |
| თბოგამტარობა | 1.0 ვტ/მ/°C |
